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    碲鋅鎘單晶生長設備
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    碲鋅鎘單晶生長設備

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    產品描述

    第一代

    第二代

    低缺陷碲鋅鎘生長設備主要用于生長碲鋅鎘單晶材料,2000年從第一代產品開發起,目前的為我公司開發的第三代碲鋅鎘單晶生長設備,具有獨特的專利技術,大大提高了爐膛的徑向溫度均勻性和穩定性;該設備為VB方法生長單晶。有THM單爐體,雙爐體,四爐體設備,爐膛內徑50-152mm。

    低缺陷碲鋅鎘生長設備的調速范圍大:爐體上下移動和安瓿旋轉二個動作。爐體上下移動速度即0.01-99.99mm/min,0.01-99.99mm/hr。安瓿旋轉運動能按0.01~99.99r/min范圍內實現無級調速,轉動速度平穩,正反恒速回轉。通過乙方提供的通信協議,甲方可自行拓展,實現速度可調的梯形波、三角波及正弦波等旋轉功能。

    爐體高溫下連續工作時間不低于720小時,全套設備采用工業計算機控制。其中加熱爐采用獨立多段加熱單元,爐內最高溫度可達到1200℃,溫度控制精度為0.1℃;溫度分布配置為兩段可調恒溫區和一小段梯度區:高溫恒溫區的長度≥350mm,溫度不均勻性≤±1.5℃,低溫恒溫區的長度≥260mm,溫度不均勻性≤±2℃。

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